美光警告：AI需求暴涨激发存储芯片紧缺 状况将持续到2026年后

多重身分正在合营推高这一轮存储紧缺。起首，新一代存储芯片在机能上的“代际晋升幅度”正在放缓，意味着客户须要堆叠更多芯片或采取更高规格产品，才能获得一致程度的机能增量。其次，新一代 HBM 芯片采取更大年夜的晶圆面积（die size），在固定晶圆产能下，可切割出的芯片数量相对削减，进一步紧缩了有效供给。此外，极紫外光刻（EUV）正加快进入最新一代 DRAM 制造工艺，在晋升制程才能的同时，也对产线扶植与良率爬坡提出更高请求。

在本次会议上，美光还披露了关于 HBM4 临盆节拍的关键信息。公司治理层称，受 AI 应用爆发式增长推动，其 1-gamma 工艺节点有望成为公司汗青上出货晶圆量最大年夜的 DRAM 节点。HBM 存储平日以多层堆叠的 DRAM 模组为基本，并与 AI GPU 等高机能芯片封装在一路，这使得先辈 DRAM 工艺在 AI 时代的重要性进一步凸显。美光同时表示，正在持续将 EUV 光刻深度导入 1-gamma 节点的量产之中。

摩根大年夜通在研报中写道，美光在大年夜会上表示，因为高机能存储芯片可以明显晋升人工智能模型的算力表示，市场对相干产品的需求持续高涨，估计全部存储市场的“紧俏”状况会一向延续到 2026 年之后。与此同时，HBM、DRAM 与 NAND 等产品的产能扩大存在客不雅难度，这也将放大年夜并拉长供需掉衡的周期。

在产能爬坡方面，美光指出，受强劲 AI 需求驱动，HBM4 的产能晋升速度正以约两倍于上一代 HBM3 的节拍推动。公司估计，下一代 HBM4E 将在 2027 年开启量产爬坡，首批样品将基于 1-gamma 工艺节点所临盆的 DRAM 芯片。这一时光表显示，美光正试图在后续几代 AI 加快芯片平台中，提前锁定高带宽存储的技巧与产能优势。

除高带宽存储外，美光还提到，跟着 AI 模型“高低文窗口”持续扩大，以及推理工作负载赓续增长，公司在固态硬盘（SSD）市场的份额也有所晋升。美光强调，正与重要客户慎密协同研发，为其特定应用处景定制产品，而非简单供给标准化的“现货型”存储解决筹划。这种更深度的合作模式，有望在将来几年内进一步稳定其在 AI 存储生态中的地位。

摩根大年夜通在申报中表示，在听取美光治理层的最新表态后，该行加倍确信 AI 存储赛道存在“多年度牛市”的投资逻辑。在高机能计算、数据中间与 AI 加快芯片的集中拉动下，HBM、DRAM 与 NAND 的构造性供需重要，可能会成为 2026 年之后存储行业订价与盈利才能的核心支撑身分。