摩尔线程MTT S5000参数初次公开：80GB显存、单卡算力1切切亿次
智谱发布新一代大模型GLM-5之后，摩尔线程立即宣布，在旗舰级AI训推一体全功能GPUMTTS5000上完成了Day-0全流程适配与验证，第一时间提供支持。MTTS5000是摩尔线程专为大模型训练、推理及高性能计算设计的全功能GPU智算卡，基于第四代MUSA架构“平湖”，原生适配PyTorch、Megatron-LM、vLLM、SGLang等主流框架。
硬件
四大年夜PC厂商初次推敲采购中国内存芯片
2月5日，据《日经亚洲》报道，在全球内存芯片供应紧张威胁到产品发布，并推高整个科技行业成本的情况下，四大主要PC制造商惠普、戴尔、宏碁和华硕正首次考虑从中国芯片制造商采购内存芯片。
英国公司研发新型冷却技巧 10分钟充斥100度大年夜电池
近日，英国初创公司Hydrohertz研发出Dectravalve多区域智能液冷系统，已获华威大学验证。传统电池冷却系统将整个电池包视为单一热区，导致快充时电芯温度不均（温差常达8-15℃），BMS被迫限制充电功率以保障安全，而Dectravalve则采用革命性设计。
苹果高通联发科将同期宣布2nm芯片
今年9月份，苹果、高通和联发科各自发布了年度旗舰芯片，分别是A19/A19Pro、骁龙8EliteGen5和天玑9500，这些芯片都是采用台积电3nm工艺制程。
JEDEC制订全新内存标准SPHBM4：秒杀DDR5/GDDR7 切近亲近HBM4
JEDEC组织正在抓紧制定新的内存标准“SPHBM4”(标准封装高带宽内存第四代)，只需512-bit位宽即可实现完整的HBM4级别带宽，同时兼容传统有机基板，从而提供更大的容量、更低的集成成本。可以说，它是介于传统DDR与新型HBM之间的一种内存，可填补HBM在诸多市场的空白，但不会用于显卡而取代GDDR显存。
韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备 为HBM5与HBM6铺平门路
本周，随着“SemiconKorea2026”半导体展览会于2月11日在韩国盛大开幕，业内目光纷纷聚焦于韓美半導體（HanmiSemiconductor）即将揭晓的尖端存储制造设备。据韩国媒体报道，该公司在展会现场新设立的展位上展示了其最新的“WideTCBonder”设备，相关宣传资料显示，这项新技术被定位为高带宽存储器（HBM）大规模生产中混合键合（HybridBonder）技术的有力替代方案
4TB DDR5 ECC RDIMM内存套装标价逾7万美元
美国内存与存储供应商NEMIX近日上架一款超高容量DDR5内存套装，单套容量高达4TB，标价70800美元，在当前DRAM供应紧张的大背景下显得尤为瞩目。据介绍，该套装由16条256GB的ECCRDIMM组成，运行频率为6400MHz，CAS延迟为52，面向预算充裕的数据中心级用户和高端工作站市场，折算下来每GB价格约17.3美元，远高于消费级DRAM约每GB10美元的平均水平。
仍有近十亿台电脑运行Windows 10 半数机器因老旧难升Windows 11
微软已经在今年10月结束对Windows 10的主流支持，但这款老牌操作系统的装机规模依然庞大。来自戴尔方面的最新研判，目前仍有约十亿台PC运行Windows 10，其中大约五亿台设备因硬件条件不足，无法满足Windows 11的安装要求。
