台积电加快美国构造 亚利桑那第二厂估计2027年投产3纳米芯片

报道援引消息人士称，设备安装估计在2026年7月至9月间启动。设备到位后，平日须要近一年时光完成临盆线验证和量产预备，对于3纳米等先辈制程而言，因为涉及跨越1000道工序及严格的工艺验证，此过程可能更长。这一最新时光表与台积电董事长兼履行长魏哲家近期表态一致，他表示公司欲望提前于原筹划（2028年）启动美国临盆。

与此同时，《工商时报》报道，台积电将于岁尾前邀请投标亚利桑那第三座厂房的扶植合约。今朝，第一座亚利桑那厂已开端为苹果临盆芯片，并供给英伟达最新Blackwell架构AI处理器。一旦总额1650亿美元的亚利桑那项目周全完成，包含五座晶圆厂、高等封装举措措施及研发中间，台积电估计其最先辈芯片约30%将在美国制造。

此外，台积电正推敲调剂日本熊本第二厂筹划，据《日经》报道，公司或将该厂转向4纳米制程，而非原定的6纳米和7纳米，这可能须要设计变革并导致项目延后。