台积电联袂应用材料 投资50亿美元在硅谷共建EPIC中间霸占3D晶体管瓶颈

应用材料总裁兼首席履行官 Gary Dickerson 表示，公司与台积电在先辈半导体技巧前沿拥有跨越30年的深度合作，此次在EPIC中间“同场立异”，将有助于两边更快应对制程路线图上前所未有的复杂性，加快将冲破性技巧从早期研究推向大年夜范围量产。 台积电履行副总裁兼联席首席运营官魏哲家则指出，跟着每一代半导体器件架构赓续演进，材料工程和工艺集成的难度持续攀升，而要在全球范围知足AI算力的爆炸式需求，须要家当链范围内更慎密的协作。 他强调，EPIC中间为加快新一代设备和工艺的成熟供给了幻想情况。

根据两边介绍，经由过程EPIC中间的合作，应用材料与台积电将聚焦当前先辈逻辑工艺在持续“缩小、堆叠与提效”过程中面对的一系列关键挑衅。 重点偏向包含：一是开辟可以或许在领先制程节点上持续晋升功耗、机能与面积（PPA）的新型工艺技巧，以支撑AI和高机能计算对芯片提出的更高请求；二是引入新材料和新一代制造设备，实现对复杂3D晶体管与互连构造的精确构建；三是经由过程先辈工艺集成筹划晋升良率、改良工艺波动控制与靠得住性，为向垂直堆叠和极致缩放架构演进打下基本。

EPIC中间被称为迄今美国在先辈半导体设备研发范畴最大年夜单笔投资，整体筹划旨在明显紧缩从实验室到量产工厂的技巧转化周期。 中间估计在本年具备运营才能，其举措措施从设计之初就针对“从早期研发快速走向量产验证”这一目标进行优化。 对于包含台积电在内的晶圆厂客户而言，EPIC中间将供给更早接触应用材料研发组合的机会，加快实验迭代速度，并在安然可控的协同情况中，加快将下一代技巧导入高产能临盆线。

应用材料方面表示，经由过程EPIC中间的共创模式，公司不仅可以或许为合作伙伴带来更高的研发效力与价值共享，还可以获得更长周期、多工艺节点的前瞻视角，以更有针对性地构造内部研发资本。 在AI推动下，芯片向复杂3D器件和互连构造演进的趋势愈创造确，业内广泛认为，若何跨越被称为“3D晶体管墙”的技巧门槛，将在很大年夜程度上决定下一阶段AI芯片机能与能效的上限。 此次应用材料与台积电在EPIC中间的合作，被视为家当链在这一偏向上的重要构造之一。