美国团队造出首颗单片3D芯片 机能4倍跨越

其采取SkyWater公司成熟的90nm至130nm工艺，在其200mm临盆线上制造而成，集成了传统的硅CMOS逻辑电路、电阻式RAM层和碳纳米管场效应晶体管。

该团队进一步指出，经由过程持续垂直集成而非一味缩小晶体管尺寸，该架构最终有望在能量延迟积（衡量速度和效力的综合指标）方面，实现100倍到1000倍的晋升。

经由过程这种方法，存储单位和计算单位之间的数据路径被大年夜大年夜缩短，从而明显晋升机能。

研究团队颁布的早期硬件测试成果显示，与具有类似延迟和尺寸的同类二维实现筹划比拟，该堆叠构造的吞吐量进步了约四倍。

除了实测硬件，经由过程仿真评估更高堆叠层的架构，成果显示具有更多内存和计算层级的设计在AI工作负载中，机能晋升高达12倍。

固然学术实验室此前曾展示过实验性的3D芯片，但该团队强调，这项工作的最大年夜不合在于它是在贸易代工厂情况中制造的，而非定制的研究临盆线。