英特尔先辈封装蓝图：单封装整合16颗计算芯片与24颗HBM5高带宽内存

Foveros Direct 3D互连经由过程超细间距混淆键合实现垂直堆叠，而EMIB-T则在封装内部采取穿硅通孔（TSV），在多个芯粒间供给更高带宽的互联才能。这种组合不仅冲破了单一光刻视场的尺寸限制，还被筹划为同时兼容HBM4、HBM5以及将来版本的HBM高带宽内存标准，以知足AI加快、HPC等范畴对带宽和容量赓续晋升的需求。

在该设计中，基本芯片（base die）采取18A-PT制程制造，并引入后头供电（backside power delivery）以晋升逻辑密度与靠得住性，同时在其上集成类似“Clearwater Forest”架构的SRAM构造。这些基本芯片为上层计算芯粒供给“地基”，而计算芯粒将应用更先辈的14A或14A-E节点打造，具备第二代RibbonFET晶体管以及PowerDirect等新一代供电技巧。

跟着先辈封装技巧的演进，英特尔还描述了功耗高达5000 W的GPU设计蓝图，并筹划经由过程集成式电压调节器（IVR）以及Foveros-B等封装筹划，在2027年前后将此类超高功耗GPU推向实际。公司此前已经为现已停产的“Ponte Vecchio”加快卡打造过复杂封装形态，而即将登场的“Jaguar Shores”AI加快器也被视为这一技巧路线的延续与进级。

为支撑上述路线，英特尔正持续扩充封装产能，例如其在马来西亚扶植的Project Pelican封装厂已投产EMIB与Foveros封装才能，以办事自家与外部客户。跟着更多芯片设计公司开端推敲采取英特尔的14A工艺与EMIB封装筹划，英特尔在高端封装范畴正被视为台积电CoWoS体系的有力竞争者之一。