因向中国长鑫存储泄漏核心技巧 韩国检方告状前三星高管等人

首尔中心处所审查厅信息技巧犯法查询拜访部表示，已于12月23日以违背《家当技巧泄漏防止及保护法》（向海外泄漏国度指定核心技巧等）罪名，告状并拘押包含前三星电子高管A某在内的5名核心开辟人员，另有各开辟部分负责人等5人被不拘留告状。 这些人被指在CXMT任职或供给协助时代，体系性复制、转移并应用三星10纳米级DRAM临盆工艺的核心材料。

案件披露的经由显示，CXMT在2016年5月成立后不久，便将当时全球独一实现10纳米级DRAM量产的三星电子作为“挖角重点对象”，制订技巧获取路线，持续从三星延揽核心工程师。 个中，已被国际刑警组织宣布红色通缉令的三星研究员B某跳槽至CXMT后，大年夜量复制并泄漏了涉及数百道工艺流程的技巧信息，为CXMT搭建起完全研发框架。

检方介绍，CXMT由中国处所当局出资约2.6万亿韩元设立，是中国首家DRAM半导体企业，在全部研发过程中不法应用韩国最尖端的DRAM工艺技巧，最终成为中国首个、全球第四个成功量产10纳米级DRAM的企业。 相干技巧被指为三星斥资约1.6万亿韩元率先在全球开辟完成的最新一代10纳米级DRAM工艺。

检方还指出，在推动相干产品开辟时代，CXMT除接收三星技巧外，还不法获取了SK海力士被指定为国度核心技巧的部分DRAM工艺材料，并据此进行本地化改革和验证，持续优化以匹配中国境内的临盆设备与线体前提。 在上述综合技巧支撑下，CXMT最终于2023年在中国初次实现DRAM产品量产。

检方评估，此次技巧外流导致CXMT一举控制世界级DRAM工艺程度，并由此夯实了将来开辟高带宽存储器（HBM）的技巧基本。 与此同时，三星电子等韩企面对的损掉被估算至少达到数十万亿韩元范围。 以全球市场占领率变更为参照，仅客岁一年，三星电子由此造成的发卖额下滑就被推算在5万亿韩元阁下。

推敲到半导体相干家当在韩国出口构造中占比约为20.8%，检方警告称，国度层面的中经久经济损掉预估同样将达到至少数十万亿韩元，事态已超出单一企业范畴，上升为严重的国度经济与家当安然问题。