三星据称将推出“100%自立技巧”GPU 最终野心：打造第二个博通
北京时间周四晚间出现市场传闻称，在全球消费电子和芯片代工市场均有一席之地的三星，将推出“100%自主技术”开发的自有移动图形处理器（GPU）。
Samsung 三星
三星提议无前提恢复劳资会谈 工会：罢工一向、对话稍后
5月15日，据路透社报道，三星电子的韩国工会周五表示，在有关薪酬与奖金方案的政府调解谈判破裂数日后，这家科技公司已提出“无条件恢复谈判”。
三星代工营业或迎来大年夜单 高通CEO称正磋商2纳米芯片临盆
1月7日，据路透社报道，《韩国经济日报》周三援引高通CEO克里斯蒂亚诺·安蒙(CristianoAmon)的话称，高通正就2纳米芯片代工生产事宜与三星电子进行磋商。
蓝牙SIG认证确认三星Galaxy Z Fold8 Ultra正式定名
三星今年计划推出两款书本式折叠屏智能手机——GalaxyZFold8和GalaxyZFold8Ultra的消息得到进一步证实。GalaxyZFold8Ultra被视为去年推出的GalaxyZFold7的继任者，其更大的电池容量和更薄的机身设计标志着三星在折叠屏技术领域持续进步。
三星Exynos 2600确认10核心、3.9GHz超大年夜核 全球首款2nm手机芯片
三星Exynos2600的机型依然定档在明年1月份上市，由GalaxyS26系列首发搭载，这是行业首款2nm芯片，采用三星2nmGAA工艺制造。据博主“i冰宇宙”最新消息，Exynos2600确认采用10核心CPU方案，包括1个3.9GHz超大核、3个3.25GHz大核以及6个2.75GHz核心。
赶超SK海力士梦碎：三星猛冲高端内存 却栽在基本良品率上
三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1dDRAM的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。此次出问题的D1dDRAM是三星第七代10纳米级工艺，原本是未来HBM解决方案的核心基础。按照规划，这项技术将被用在第九代HBM产品HBM5E上。
内存芯片价格涨势“前所未有” 三星电子季度利润有望立异高
据韩国三星电子联席首席执行官最新表示，内存芯片短缺的局面“前所未有”且“极其严重”，并且内存芯片价格飙升将对智能手机价格产生不可避免的影响。据市场追踪机构DRAMeXchange称，过去一年中，传统DDR4DRAM的基准价格飙升了近七倍——这是自2016年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过一倍。
三星Galaxy S26系列获FCC认证 全球搭载首款2nm芯片智妙手机
三星GalaxyS26系列已通过美国联邦通信委员会（FCC）认证，认证信息显示，其中包含GalaxyS26、GalaxyS26+以及GalaxyS26Ultra三款机型。由于认证是面向美国的版本，所以三款新机均搭载骁龙8EliteGen5处理器，支持卫星通信功能。
因制造成本过高 三星Galaxy S27 Ultra或无缘硅碳负极电池技巧
业界最新传出的消息显示，三星在其下一代顶级旗舰智能手机GalaxyS27Ultra上，对于放弃传统锂电池并全面转向新型硅碳（Si-C）负极电池技术的态度依然十分谨慎。令人意外的是，导致三星犹豫不决的根源并非这项电池技术本身存在不确定性，而是背后极其高昂的制造成本。
三星电子和韩国当局恢复工资会谈的提议遭工会拒绝
三星电子和韩国政府周四均敦促工会恢复工资谈判，但遭到工会方面的拒绝。三星电子向其两大工会发送了一份正式文件，这被广泛认为是为避免定于下周四举行的罢工而做出的最后努力。
