Samsung 三星

三星Galaxy S26/S26+设备外不雅全揭晓 全球首发搭载2nm芯片

三星GalaxyS26系列新旗舰将在2月25日发布,预计国行版会在3月登场。AndroidHeadline最新发文,揭晓了GalaxyS26/S26+的核心参数和外观渲染图。外观方面,GalaxyS26/S26+与前代差距不大,依然是家族化的简约造型,直屏+直边方案,正面屏幕是居中挖孔。

三星Exynos 2600正式宣布 全球首款2nm手机芯片

三星今天正式发布了新一代旗舰手机SoC——Exynos2600。Exynos2600是全球首款采用2nmGAA工艺打造的芯片,这也是全球半导体行业的一个重磅里程碑。目前已进入量产阶段,三星GalaxyS26系列首发,其中GalaxyS26、S26+两款机型将搭载该芯片,初期仅在韩国本土市场销售,其他地区机型依然优先采用高通骁龙芯片。

三星电子3.7万工人将举办聚会会议 为下月罢工做预备

三星电子工会表示,他们预计周四将有约37000名工人参加在韩国举行的集会,下个月将举行罢工。这次集会将于三星位于平泽市的巨型芯片工厂举行,突显了这家全球最大芯片制造商面临的日益增长的劳工风险,长期以来,该公司基本上没有受到影响现代汽车等其他当地公司的工人活动的影响。

三星代工营业的2nm制程良率已晋升至60%以上

据韩国媒体报道,三星代工业务的2nm制程良率已提升至60%以上,去年下半年该工艺良率还停留在20%出头,两个季度内实现了三倍以上的飞跃。目前三星2nm产线的主要客户包括三星系统LSI部门、矿机芯片厂商嘉楠科技(Canaan)和微比特(MicroBT),其中嘉楠和微比特委托生产的挖矿芯片良率改善最为显著,是推动整体数据上行的主力。

三星1dnm DRAM良品率未达标 或导致HBM5E推迟量产

最近有消息人士透露,三星基于1dnm制程(第七代10nm级别工艺)的DRAM芯片在试产阶段良品率低于预期。三星已计划无限期推迟大规模量产,直至良品率达到既定目标。为此,三星可能会全面审查工艺流程,以进一步提升良品率。