三星预备推出SSD 990 面向主流市场的PCIe 4.0 NVMe固态硬盘

据悉，SSD 990 仍是一款无自力 DRAM 缓存的固态硬盘，搭载三星自研主控芯片。 官方材料指出，SSD 990 的写入寿命低于应用 DRAM 缓存及 3D TLC 闪存的 990 PRO，这也强化了其更可能应用 QLC 闪存的断定。 在具体经久性方面，1 TB 版本的标称写入寿命为 400 TBW，而 2 TB 版本则为 800 TBW。

两者之间的重要区分身分很可能在于所采取的闪存类型（QLC 比较 TLC），以及 SSD 990上更新的主控筹划。 与支撑 PCIe Gen 4 x4 或 Gen 5 x2 接口的 990 EVO Plus 不合，SSD 990 明白采取 PCIe Gen 4 x4 接口，进一步强调其在现有主流平台上的定位。

在机能指标上，SSD 990 的次序读写速度已经进入 PCIe Gen 4 阶段的高端区间。 2 TB 型号的最高次序读取速度可达 7250 MB/s，1 TB 型号则为最高 7150 MB/s，两种容量版本的次序写入速度均可达 6450 MB/s。 相干规格最早曾在三星加拿大年夜官网短暂出现，随后被移除，但已被 VideoCardz 截图保存并曝光。