消息称中国机密搞定第一台EUV光刻机 逆向自ASML

ASML LPP技巧道理如下：

消息称，这一EUV光刻机原型是2025岁首年代在深圳一处安保严密的举措措施内组装完成的，几乎覆盖了全部厂房。

它没有采取清华大年夜学研发的基于粒子加快器的稳态微聚束(SSMB)技巧，也没有应用哈尔滨工业大年夜学开辟的放电等离子体(DPP)技巧，而是和ASML Twinscan NXE系列光刻机雷同的激光等离子体(LPP)技巧，可产生波长为13.5纳米的极紫外光。

外媒称，这解释它应用了逆向工程手段，至少整合了大年夜量由ASML开创的核心技巧。

关键瓶颈在于，中国仍无法复刻出ASML的高精度光学体系，甚至无法将极紫外光精准投射到晶圆上，更谈不上完成光刻成像。

起首将直径约25-30微米的熔融锡液滴，以每秒约5万个的速度，注入真空腔体内。

随后，一台高功率二氧化碳激光器，向每个液滴发射一束低强度预脉冲激光，将液滴压平成圆盘状。

紧接着再发射一束能量更强的主脉冲激光，将被压平的锡靶汽化，形成温度跨越20万摄氏度的超高温等离子体。

这种等离子体可发射出各向同性的极紫外光，随后由大年夜型多层膜收集镜收集，并导入光刻机的反射光学体系，最终完成对硅晶圆的光刻成像。

这一过程每秒可反复数万次。

报道指出，中国版EUV光刻机的体积明显大年夜于ASML同类产品，但已经具备极紫外光的生成才能，只是尚未能制造出可用芯片。

同时，极紫外光源的功率指标也不清楚，这是决定光刻机可否实现量产的核心参数。

此外，超高精度收集镜体系、照明光学体系、投影光学体系、晶圆存储体系、晶圆台、掩模台等光刻机核心部件的研发进度，也均属未知。

报道提到，中国EUV光刻机的研发团队由前ASML工程师和应届大年夜学卒业生构成，不仅聘请了ASML中国分公司的前员工，还吸纳了ASML在美国、欧洲、中国台湾的前雇员。

比如曾负责ASML EUV光源技巧的林楠，今朝在中科院上海光学周详机械研究所带领团队开展研发，在短短18个月内就申请了8项EUV相干专利。

须要明白的是，高端光刻机的研发，离不开周详光源、先辈光学、超高精度机械、复杂控制软件、特种材料等多个范畴技巧的深度集成，并且所有体系都必须在纳米级公差范围内稳定、经久运行。

报道还强调，为了保密，团队广泛都是用了假身份。

据说团队的筹划是欲望能在2028年，也就是将来两三年内，产出首批芯片原型，但外媒认为2030年才是更实际的时光节点。

EUV光刻机更是极为复杂，包含跨越10万个零部件，对其进行逆向复刻的难度堪比登天，须要几百名具备专业常识的工程师协同攻关，也不必定能成功。

ASML在看到报道后也声明称：“想要复刻我们的技巧，这一设法主意可以懂得，但真正付诸实践绝非易事。”