SK海力士宣布控温散热存储技巧“iHBM”明显降低产品运行发烧量

传统的HBM产品重要依附热量经由核心芯片向别传导的间接散热方法，而iHBM则直接将ICE嵌入发烧最集中的D2D PHY区域，为该区域构建专用的热量排出通道。

比拟传兼顾划，iHBM的热阻降低了30%以上，在高温、高负载等严苛情况中，产品运行的稳定性获得有效保障。

在量产可行性方面，iHBM采取了已在市场中广泛验证的先辈MR-MUF晶圆级封装工艺，可以或许实现范围化稳定量产。

此外，该技巧与客户现有的体系级封装情况具备较高的设计兼容性，客户无需进行大年夜范围设计修改即可直接安排，从而有效降低了实际导入的技巧门槛。

SK海力士筹划将iHBM技巧应用于HBM5等下一代产品中，以知足高机能计算及AI数据中间等超高集成度、高带宽应用处景下的散热治理需求。