三星电子将在年内建成温阳新工厂 加快HBM封装双轨化

据半导体行业消息，三星电子在温阳厂区内新建的工厂即将落成，该厂将安排基于硅通孔（TSV）技巧的先辈封装临盆线。HBM作为高附加值产品，需经由DRAM前工序后，再经由过程TSV打孔、垂直堆叠和热压接合等封装流程。今朝，三星电子在平泽工厂完成DRAM前工序，天安工厂负责封装。

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跟着全球HBM需求激增，三星电子正加快平泽4工厂（P4）扶植，并筹划于下半年启动平泽5工厂（P5）一期工程。P4和P5的部分产线将用于临盆第六代HBM4所需的1c纳米DRAM。为匹配平泽前工序扩产，三星电子需扩大年夜TSV封装产能。业内人士指出，天安工厂的C1、C2、C3产线已满负荷运行，无法进一步扩充，而温阳工厂拥有更大年夜空间，是以选择在此扩建。

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三星电子筹划将天安的部分先辈封装人员调至温阳，同时将温阳的通用DRAM封装人员迁至越南，以慢慢实现产品封装双轨化。该筹划估计在5年内分阶段推动，今朝人员尚未实际转移。越南工厂初期将吩咐消磨大年夜量韩国员工进行产线设置，后续慢慢增长本地员工比例。

三星电子本年HBM发卖额估计同比增长跨越三倍。个中，2月量产出货的HBM4将于下半年扩大年夜供给，第三季度起占公司HBM总发卖额一半以上。本年HBM4订单已全部售罄，公司筹划将HBM产能较客岁扩大年夜约50%，以应对全球需求。