SK海力士摸索与英特尔合作引入2.5D封装以强化HBM疆土

英特尔当前主打的 2.5D 封装筹划恰是 EMIB，经由过程在封装基板中嵌入硅桥，实现多颗芯粒之间的高密度互连。SK 海力士欲望将这一技巧整合进其 HBM 产品线，推想重点是让新一代 HBM4 在构造与接口上知足 EMIB 集成请求，以便在其 AI 芯片客户选择英特尔晶圆厂进行下一代加快器先辈封装时无缝对接。

此前有报道指出，英特尔小尺寸硅桥 EMIB 筹划，包含带嵌入式金属绝缘金属电容的 EMIB‑M，以及带硅通孔（TSV）的 EMIB‑T，在逻辑芯片之间以及逻辑芯片与 HBM 之间供给了成本相对较低、岸线密度极高的互连路径。不过，到今朝为止，SK 海力士在高端 AI 封装上一向依附台积电及其 CoWoS 2.5D 封装技巧。跟着 CoWoS 在产能与工艺复杂度层面慢慢切近亲近极限，而客户开端主动寻找可替代的先辈封装路径，EMIB 正在成为延续芯粒化路线的有力选项，有望在超出传统 830 平方毫米光罩面积限制的同时，实现更多偏向上的扩大与堆叠。

SK 海力士的 DRAM 与 HBM 芯片重要由自家工厂制造，但公司本身并不涉足复杂的体系级先辈封装，当前最前沿的封装情势是混淆键合：将多片硅直接堆叠，并经由过程成千上万颗 TSV 完成垂直互连。在 AI 加快器场景中，厂商须要把这种 HBM 封装与 GPU/专用加快芯粒合营整合到一个大年夜封装内，往往涉及十余个此类 HBM 封装一并打在同一基板上。这恰是台积电 CoWoS 的用武之地，而接下来英特尔 EMIB 也将参加竞争，为同一类高密度体系级封装需求供给替代或并行筹划。

今朝外界尚不清楚首批基于 SK 海力士 HBM 与英特尔 EMIB 结合的产品何时问世。可以确认的是，两边在相干 2.5D 封装与接口标准上的结合研发已在推动，业内广泛预期在将来数个季度内有望看到初步成果或产品落地旌旗灯号。