冲破供电瓶颈 英特尔代工实现功率传输的跨代际飞跃

电容材料立异

英特尔代工的研究人员展示了三种新型金属-绝缘体-金属（MIM）电容器材料，用于深沟槽构造：

（1）铁电铪锆氧化物（HfZrO）：应用铁电材料的自发极化特点，在纳米级标准下实现高介电常数；

这一技巧冲破将为AI芯片设计带来多重优势，包含电源完全性晋升，有效克制电源噪声和电压波动。在热治理协同优化方面，实现电热协同优化，为高功率AI芯片供给更稳定的工作情况。它还有助于在有限芯单方面积内实现更高的电容密度，为功能模块集成释放更多空间，实现芯单方面积优化。

（2）二氧化钛（TiO₂）：具有优良的介电机能和热稳定性；

（3）钛酸锶（SrTiO₃）：钙钛矿构造材料，在深沟槽中展示出卓越的电容密度。

这些材料可经由过程原子层沉积（ALD）在深沟槽构造中实现平均且可控的薄膜发展，从而明显改良界面质量，并晋升器件靠得住性。

冲破性机能指标

该技巧实现了跨代际的飞跃，具体表示在：

（2）电容密度：达到60-98 fF/μm²，比拟当前先辈技巧实现明显晋升；

（2）漏电机能：漏电程度比行业目标低1000倍，大年夜幅降低静态功耗；

体系级优势

（3）靠得住性：不影响电容漂移和击穿电压等指标。

鄙人一代先辈CMOS工艺中，一系列稳定、低漏电的MIM电容密度加强技巧具有相当的应用潜力。英特尔代工将致力于持续立异，为AI时代的高机能计算芯片供给关键的电源治懂得决筹划。