台积电熊本晶圆二厂将进级4nm制程

台积电位于日本熊本邻近的Fab 23第二阶段项目（又称台积电熊本晶圆二厂）筹划总投资约139亿美元，本年10月开工扶植，估计2027岁尾开端营运，本来筹划将临盆N6（6nm）和N7（7nm）制程工艺的芯片，重要面向主动驾驶、人工智能（AI）等范畴。

假如日经消息的报道属实，那么台积电熊本晶圆二厂还将新增N4和N5才能，为日本客户制造更先辈的芯片。

有报道称，台积电据称通知其设备供给商，2026年全年日本不须要新设备，这意味着因为施工耽搁，来岁不会开端设备熊本晶圆二厂。

固然N5/N4和N7/N6系列制程技巧有完全不合的设计规矩，前者比后者更先辈，因为它们应用了多达14层极紫外光刻层，但它们应用的设备总体上是类似的。是以，N5/N4制程可反复应用多达90%的N7/N6临盆线设备，使晶圆厂进级相对轻易。

所以，对台积电来说，将熊本晶圆二厂进级到N4和N5制程工艺并不是大年夜的挑衅，但产线可能须要从新设计，因为N4临盆线须要更多的极紫外光刻机，而这些设备要比DUV光刻机更大年夜。

报道称，早在2023年，台积电就曾推敲在熊本临盆N4制程，是以可能在扶植之时就已经为安装更多EUV光刻机做好预备。

关于台积电的一个有趣现象是，固然台积电熊本晶圆二厂在本年10月底进入了早期的实际扶植阶段，11月现场拍摄的照片显示现场有起重机、发掘机和打桩机。然而，12月初拍摄的图像显示，几乎所有重型设备都已被移除。此外，供给商也被通知工作将暂停，但未解释原因。