Intel安装首套二代High-NA EUV 为14A工艺铺平门路

Intel指出，在与ASML的合作下，已成功证清楚明了最先辈的光刻设备，在供给改进的精度和临盆力方面的技巧可行性，为High NA EUV设备将来的大年夜量制造奠定了基本。

根据官方材料，EXE:5200B在标准前提下的产能可达每小时175片晶圆，但Intel筹划经由过程进一步的体系调剂，将产出率推高至每小时200片晶圆以上。

新体系还在Intel以前一年多对High-NA EUV光刻设备的应用经验之上，晋升了套刻精度达到了0.7nm。

Intel表示，High-NA EUV光刻设备是其晶圆代工中的重要才能，结合了自身在掩模、蚀刻、解析度加强和计量等相干范畴的技能，杀青了当今芯片所需的更精细晶体管细节。