三星中国营业大年夜调剂细节曝光：诟谇电/彩电/显示器淡出市场 保存手机和存储营业
三星中国正在进行深度的业务架构调整。这次调整意味着这家消费电子巨头在中国市场的战略重心将发生根本性偏移，曾经覆盖全品类的家电版图正在迅速收缩。
Samsung 三星
传三星正测试双电芯2万毫安时硅碳电池 屏显续航达27小时但出现鼓包隐患
近期多款来自中国品牌的智能手机开始配备8000毫安时乃至更大容量电池，而有爆料称，三星旗下电池部门SamsungSDI正在测试一款面向智能手机的超大容量双电芯硅碳电池，标称容量高达2万毫安时。一向在手机电池容量上相对保守的三星，即便是最新旗舰GalaxyS25Ultra也仍采用5000毫安时电池，因此这则传闻在业内引发关注。
三星闪存涨价100% 涨幅远超市场预期
今年第一季度，三星已将NAND闪存的供应价格上调超过100%，涨幅远超市场预期，凸显出当前半导体市场严重的供需失衡。据行业知情人士透露，三星电子已于去年年底完成与主要客户的供应合同谈判，并从1月起执行新的价格体系。
三星Galaxy XR的拆解揭示了异常有趣的机身构造
近日，知名拆解机构iFixit公布了对三星GalaxyXR头显的完整拆解过程，详细展示了这款今年10月发布的Android混合现实设备在内部结构和可维修性方面的设计取舍，引发业界关注。GalaxyXR此前已因重量更轻于苹果VisionPro、支持运行全部Android应用等特性受到讨论，如今其硬件层面的细节也逐渐清晰。
三星对移动营业部分在内存危机中初次出现吃亏认为日益担心
4月22日报道，随着人工智能相关需求持续吞噬全球RAM产能，智能手机行业正面临成本快速上升的压力，三星对此的担忧也在进一步加深，甚至已开始警惕其移动业务部门可能出现历史上首次年度亏损。
三星Galaxy S26 Ultra海报偷跑
三星将在本月举办GalaxyUnpacked活动，正式发布年度旗舰GalaxyS26系列，包含GalaxyS26、GalaxyS26+和GalaxyS26Ultra三款旗舰。随着发布时间的临近，有关GalaxyS26系列的细节陆续揭开。
据称三星正推动 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开辟
据韩国媒体报道，三星半导体正推进一项针对高带宽内存（HBM）的全新2纳米工艺项目，计划为不同客户需求开发定制化HBM逻辑芯片。报道引述业内人士称，尽管具体客户名单尚未披露，但三星HBM开发团队已经着手为下一代产品预研使用“先进至2纳米”的晶圆代工制程，为未来数代HBM解决方案奠定基础。
Galaxy S26大年夜约有50%的供货并未采取三星自家DS部分的内存
尽管三星贵为全球内存芯片巨头，但在2026年这一波史诗级的存储涨价潮中，自家的手机业务也没能拿到优待。根据最新的行业报道，刚刚发布的GalaxyS26系列在内存供应上采取了极其罕见的策略。在其首批订单中，大约有50%的机型并未采用三星自家DS部门的内存，而是选用了美光的LPDDR5X芯片。
1.4nm推迟商用 三星Exynos 2800持续2nm工艺
在三星第一代2nmGAA工艺推向市场后，紧接着将迎来光刻工艺的改进与迭代。三星正致力于通过技术优化，进一步提升先进制程在实际应用中的表现。据行业报道，三星计划在今年内完成Exynos2800处理器的设计工作。这款芯片具有里程碑式的意义，因为它是首款搭载三星完全自研GPU的移动处理器，标志着其在半导体产业链上迈出了关键一步。
2026年首款万元机皇 三星Galaxy S26 Ultra机模上手
三星通常会在Q1发布最新的GalaxyS系列旗舰，按照惯例，GalaxyS26系列也将在2026年Q1登场。现在三星GalaxyS26Ultra的机模在社交平台上被曝光，其外观正式揭晓。如图所示，GalaxyS26Ultra最明显的变化是左侧的三摄被放置在椭圆形相机岛上，而上代旗舰GalaxyS25Ultra没有相机岛，各个镜头采用独立的排列方式。
