内存芯片价格涨势“前所未有” 三星电子季度利润有望立异高
据韩国三星电子联席首席执行官最新表示，内存芯片短缺的局面“前所未有”且“极其严重”，并且内存芯片价格飙升将对智能手机价格产生不可避免的影响。据市场追踪机构DRAMeXchange称，过去一年中，传统DDR4DRAM的基准价格飙升了近七倍——这是自2016年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过一倍。
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三星Galaxy S26系列获FCC认证 全球搭载首款2nm芯片智妙手机
三星GalaxyS26系列已通过美国联邦通信委员会（FCC）认证，认证信息显示，其中包含GalaxyS26、GalaxyS26+以及GalaxyS26Ultra三款机型。由于认证是面向美国的版本，所以三款新机均搭载骁龙8EliteGen5处理器，支持卫星通信功能。
三星Exynos 2600确认10核心、3.9GHz超大年夜核 全球首款2nm手机芯片
三星Exynos2600的机型依然定档在明年1月份上市，由GalaxyS26系列首发搭载，这是行业首款2nm芯片，采用三星2nmGAA工艺制造。据博主“i冰宇宙”最新消息，Exynos2600确认采用10核心CPU方案，包括1个3.9GHz超大核、3个3.25GHz大核以及6个2.75GHz核心。
赶超SK海力士梦碎：三星猛冲高端内存 却栽在基本良品率上
三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1dDRAM的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。此次出问题的D1dDRAM是三星第七代10纳米级工艺，原本是未来HBM解决方案的核心基础。按照规划，这项技术将被用在第九代HBM产品HBM5E上。
三星将美国总部迁往得州普莱诺
韩国三星电子近日确认，其美国业务总部将从长期驻扎的美国新泽西州迁往得克萨斯州普莱诺，预计将在今年内完成搬迁。三星在美国的运营总部在新泽西已扎根逾40年，其中大部分时间位于里奇菲尔德帕克；2024年，三星才刚宣布从里奇菲尔德帕克搬至同样位于新泽西州的恩格尔伍德克利夫斯，如今又决定离开新泽西州，整体迁往得州。
三星停产2D NAND闪存 将旧产线改革为HBM4现代工厂
据韩国媒体TheElec报道，三星电子计划于今年正式停止2DNAND闪存存储的生产，并对相关老旧生产线进行全面改造，以顺应快速增长的人工智能算力与高带宽存储（HBM）需求。
三星代工接连拿下NVIDIA、Tesla、AMD大年夜单 Q4有望扭亏
据韩国媒体报道，三星代工业务正迎来强势反弹，在接连获得特斯拉和高通的订单后，三星又拿下NVIDIA新一代AI推理芯片"Grok3LPU"的生产合同，目前正与AMD洽谈下一代芯片的代工合作。
博主暴力测试三星三折叠：14.4万次后搭钮就“软了” 未达20万次官方承诺
日前，三星GalaxyZTriFold三折叠手机发布，官方承诺铰链可经受20万次折叠测试。三星还称，这一测试数据模拟了每天折叠100次、连续使用5年的场景。
三星电子和韩国当局恢复工资会谈的提议遭工会拒绝
三星电子和韩国政府周四均敦促工会恢复工资谈判，但遭到工会方面的拒绝。三星电子向其两大工会发送了一份正式文件，这被广泛认为是为避免定于下周四举行的罢工而做出的最后努力。
存储芯片供给即将暴雷？三星史上最大年夜范围罢工已迫在眉睫
在全球芯片短缺愈演愈烈之际，韩国三星电子公司的劳资纠纷可能给这场“芯片荒”再添一把火。据三星最大的工会组织“全国三星电子工会（NSEU）”威胁称，该公司正就三星史上最大规模的罢工计划进行投票——一旦本周三投票通过，将在5月中断芯片生产，这可能给三星公司带来数百亿美元的损失。
