硬件

苹果高通联发科将同期宣布2nm芯片

今年9月份,苹果、高通和联发科各自发布了年度旗舰芯片,分别是A19/A19Pro、骁龙8EliteGen5和天玑9500,这些芯片都是采用台积电3nm工艺制程。

传长鑫来岁将把两成产能投入HBM3量产

消息称中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)已启动HBM3高带宽存储器(HighBandwidthMemory3)模组的量产工作。该公司在高性能存储领域正努力追赶国际主流厂商,其中以韩国企业为代表的竞争对手早在2023年便全面进入第四代高带宽存储产品的量产阶段。

韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备 为HBM5与HBM6铺平门路

本周,随着“SemiconKorea2026”半导体展览会于2月11日在韩国盛大开幕,业内目光纷纷聚焦于韓美半導體(HanmiSemiconductor)即将揭晓的尖端存储制造设备。据韩国媒体报道,该公司在展会现场新设立的展位上展示了其最新的“WideTCBonder”设备,相关宣传资料显示,这项新技术被定位为高带宽存储器(HBM)大规模生产中混合键合(HybridBonder)技术的有力替代方案

摩尔线程MTT S5000参数初次公开:80GB显存、单卡算力1切切亿次

智谱发布新一代大模型GLM-5之后,摩尔线程立即宣布,在旗舰级AI训推一体全功能GPUMTTS5000上完成了Day-0全流程适配与验证,第一时间提供支持。MTTS5000是摩尔线程专为大模型训练、推理及高性能计算设计的全功能GPU智算卡,基于第四代MUSA架构“平湖”,原生适配PyTorch、Megatron-LM、vLLM、SGLang等主流框架。

4TB DDR5 ECC RDIMM内存套装标价逾7万美元

美国内存与存储供应商NEMIX近日上架一款超高容量DDR5内存套装,单套容量高达4TB,标价70800美元,在当前DRAM供应紧张的大背景下显得尤为瞩目。据介绍,该套装由16条256GB的ECCRDIMM组成,运行频率为6400MHz,CAS延迟为52,面向预算充裕的数据中心级用户和高端工作站市场,折算下来每GB价格约17.3美元,远高于消费级DRAM约每GB10美元的平均水平。