SK hynix筹划在本年量产375层3D NAND闪存 改用钼材料以冲破工艺瓶颈

在 NAND 闪存堆叠层数的比赛中，SK hynix 与三星正展开激烈比拼。 三星此前已泄漏将经由过程双堆叠筹划将 V-NAND 层数推升至 400 层以上，并已展示最高可达 900 层、并以 1000 层为目标的技巧路线图，而 SK hynix 则选择以 375 层产品作为阶段性节点切入量产。

据懂得，SK hynix 内部最初将这一代产品定位为“400 层级” NAND，但在实际工艺开辟过程中，因为在同一芯片内堆叠过多层数时碰到严重的工艺与旌旗灯号传输难题，最终将设计修改为 375 层。 行业人士泄漏，本来筹划中的 400 层级产品被调剂为 375 层，而后续路线图则延长至 480 层和 604 层等更高堆叠的产品节点。

要持续向 480 层、604 层等更高堆叠迈进，单靠现有材料体系已经难认为继。 报道指出，SK hynix 须要在关键导电材料长进行重大年夜调剂，慢慢放弃今朝广泛采取的钨（Tungsten）薄膜，转而采取钼（Molybdenum）作为新的互连材料，以应对高层数堆叠带来的电阻与旌旗灯号完全性挑衅。

在高层数 3D NAND 构造中，跟着垂直偏领导线和通道尺寸赓续缩小，钨的电阻难以控制，旌旗灯号传输损耗和延迟问题愈发凸起，成为持续增长堆叠层数的“材料天花板”。 与之比拟，钼在高电阻情况下具有更优的机能表示，可以或许在更窄的布线前提下保持较好的导通特点，是以被视为冲破高层堆叠限制的关键材料之一。

对于 SK hynix 而言，375 层 NAND 的量产不仅是对其工艺才能的阶段性验证，也是向 480 层、604 层甚至更高层数演进的技巧跳板。 如安在保持良率与成本之间取得均衡，同时顺利完成从钨到钼等关键材料的迁徙，将直接影响其在与三星等竞争敌手的比赛中可否占据有利地位。

三星已经在其部分 NAND 工艺中率先导入钼材料，并筹划在本年进一步优化其 V-NAND 临盆流程，推出首批 400 层级产品，以巩固其在高端存储市场的领先地位。 SK hynix 则将在跟进更高层数产品时同步完成从钨到钼的材料切换，以缩小与竞争敌手在技巧路线上的差距。

跟着 AI、云计算、高机能终端与企业级数据中间对存储容量和机能需求持续攀升，3D NAND 层数的赓续晋升被视为晋升单颗芯片比特密度、降低单位存储成本的关键偏向。 然而，这也意味着晶圆厂须要投入更多资金采购新材料、进级设备与转换产线，以支撑更高复杂度的堆叠与加工流程。

以钼为例，其需求量在近几年明显增长，已成为 NAND 供给链中的重要原材料之一。 报道称，三星客岁采购了约 4 吨钼，本年迄今为止的采购量已增至约 10 吨，而跟着 SK hynix 等厂商导入钼，估计本年其用量也将达到约 4 吨。

家当机构猜测，跟着 400 层级及更高层数 NAND 进入量产阶段，钼的市场需求将快速攀升：到 2027 年估计将达到 25 吨，2028 年增至 40 吨，2029 年约为 60 吨，并在 2030 年阁下进一步攀升至 80 吨范围。 在这一过程中，材料供给、成本控制与技巧迭代将合营决定 NAND 厂商在高层堆叠时代的竞争格局。